檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛被應用在不同的產品上，例如：靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等，原因在於複晶矽薄膜電晶…
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金屬氧化物薄膜電晶體除了可以當開關元件之外，其還可以當作光電晶體，相較於過去的光電二極體，其具有更高的響應度與靈敏度。本篇論文提出使用氧化銦鋅錫做為光感測薄膜電晶體的主動層，利用其具寬能隙且較過去較…
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本論文針對目前市場上較具有延伸性潛力的薄膜電晶體分別提出兩套新式的製程技術並加以優化達到降低成本與高穩定的電特性。首先，金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構，因為要考慮到光罩間對位的誤…
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一般而言，薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流，但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法，透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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微晶矽薄膜電晶體近來已被廣泛的研究，其擁有可大面積低溫成長的優點，且元件特性又優於非晶矽薄膜電晶體，例如，較高的電子移動率及較低的能帶間隙，普遍被認為將來可以取代非晶矽薄膜電晶體在大尺寸液晶顯示器上…
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於本論文中，我們探討不同交流訊號參數之非晶矽薄膜電晶體 (amorphous silicon thin film transistors) 在閘極 (gate) 交流與汲極 (drain) 交流電壓…
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顯示器在日常生活中的應用越來越廣泛，其應用包含高畫素大尺寸主動矩陣式有機發光二極體顯示器、虛擬時境及互動式顯示器，這些下一世代的顯示器皆具備高畫素密度，而金屬氧化物薄膜電晶體搭配傳統的二氧化矽閘極絕…
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本論文中以一種新穎的方法探討氟在低溫複晶矽薄膜電晶體中，驅入的容易度，以及對元件特性改善的效果；並對先前的技術做比較。 我們提出的方法是，使用CF4電漿來對元件的Buffer Layer做處…
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金屬氧化物薄膜電晶體（TFT）由於其高載子遷移率、高光學透明性、良好的均勻性和低製造溫度的出色性能，在未來顯示器與各種智能手機、電腦、感測器等電子產品中引起了廣泛的關注。對於新興的電晶體應用而言，低…
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由於金屬氧化物薄膜電晶體的製程特質及材料特性，使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇，包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、可在低溫下製作而應用於可撓式的裝置以及低成本製作等特殊需求的產…